Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора

Боровик, А. М.; Ханько, В. Т.; Стемпицкий, В. Р.; Borovik, A. M.; Khanko, V. T.; Stempitsky, V. R.

Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора

Боровик, А. М., Ханько, В. Т., Стемпицкий, В. Р., Borovik, A. M., Khanko, V. T., Stempitsky, V. R.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T06:55:11Z

Аннотация:

Разработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации. Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм.The technique of extraction and identification of electrical models parameters for nanoscale semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency to identification, extraction and optimization of parameters of semiconductor devices electrical models is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard design MOS transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, электрическая модель, экстракция параметров, оптимизация, наноразмерный МОП-транзистор, electrical model, parameters extraction, optimization, nanoscale MOSFET

Тип: Article