Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель

Сыс, А. Д.

Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:34:02Z

Аннотация:

Рассмотрены структуры и конструктивно-технологические особенности полупроводниковых полевых транзисторов MOSFET и их электротепловая модель. Предложены оптимальные варианты конструктивно технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. The structures and design and technological features of MOSFET semiconductor field-effect transistors and their electrothermal model are considered. Optimal options for the structural and technological design of MOSFETs and methods for mounting crystals in a package are proposed, which ensure the stability and reproducibility of product parameters.

Ключевые слова:
материалы конференций, мощные транзисторы, МОП-структуры, электротепловые модели, power transistor, MOS, VMOS, MOSFET, electrothermal model

Тип: Статья