Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 24 из 5677

Фотоэлектрический преобразователь с двусторонней светочувствительностью
Василевич, В. П., Збышинская, М. Е.
Полезная модель относится к конструкции оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых
Устройство для измерения полных проводимостей и добротности нелинейных элементов
Свирид, В. Л.
может быть использовано при технологическом контроле параметров полупроводниковых приборов и других
Особенности организации тестирования ЭКБ в диапазоне температур
Белоус, А., Ефименко, С., Смолич, В.
производстве микросхем и полупроводниковых приборов в диапазоне температур. Показано, что для тестирования
Особенности проектирования радиоэлектронных устройств, подверженных воздействию электромагнитных помех
Титович, Н. А., Мурашкина, З. Н.
электромагнитных помех (ЭМП) с учетом восприимчивости полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС
Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия
Телеш, Е. В., Достанко, А. П., Юрченок, Л. Г., Малькевич, В. Э.
схем и полупроводниковых приборов на арсениде галлия, и может быть использовано для защиты от внешних
Устройство для финишной очистки подложек
Достанко, А. П., Пикуль, М. И., Гойденко, П. П., Кулагин, Ю. А.
для очистки деталей, например подложек, полупроводниковых приборов.
Модель прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности методом имитационных воздействий для аппаратуры систем телекоммуникаций
Боровиков, С. М., Будник, А. В., Калита, Е. В., Бересневич, А. И.
можно прогнозировать надежность полупроводниковых приборов большой мощности по внезапным отказам.
Модернизация метода тестирования мощной интегральной микросхемы или полупроводникового прибора в диапазоне температур
Ефименко, С. А., Кособуцкая, Н. В., Efimenko, S. A., Kosobutskaya, N. V.
Тестирование - это измерение электрических параметров микросхем и полупроводниковых приборов и
Классификация устройств для организации тестирования ЭКБ в диапазоне температур
Ефименко, С. А., Смолич, В. А.
полупроводниковых приборов в диапазоне температур. Показаны основные характеристики автоматизированных и
Моделирование из первых принципов свойств графена модифицированного атомами фтора
Мищенко, В. Н., Матусевич, П. А., Митрофанов, А. Д., Сурвило, И. С.
новых полупроводниковых приборов требует исследования свойств новых материалов и графен является одним

Страница 24 из 5677

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core