Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 58526

Страница 33 из 5853

ИССЛЕДОВАНИЕ АТОМНОЙ И ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СВЕРХТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА И ОЦЕНКА ИХ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ СТАБИЛЬНОСТИИССЛЕДОВАНИЕ АТОМНОЙ И ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СВЕРХТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА И ОЦЕНКА ИХ

Особенности электрохимического осаждения никеля в мезопористый кремний поверхности монокристаллических кремниевых пластин сформированы слои мезопористого кремния. Электрохимическим

Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии преимущественно от кристаллографической ориентации пластин кремния. Совокупность линий перегиба для пластин

Исследование сфераобразных наноструктур, сформированных в объеме пластин монокристаллического кремния наноструктур, формируемых в объеме пластин монокристаллического кремния. Стандартные пластины Cz-Si, n типа

Особенности реактивного магнетронного нанесения пленок оксида тантала при различных способах подачи газа в камеру. Независимо от способа подачи рабочих газов в камеру, начальное формирование диэлектрических пленок оксида

Энергии активации процессов роста субзерен и развития морфологии при синтезе пленок β-SiC на (111)Si в атмосфере метана и морфологии пленок, образующихся при импульсной фотонной обработке излучением ксеноновых ламп

Получение тонких полупроводниковых пленок оксосульфида олова(II) методом SILDЦель исследования – формирование нано- и микроструктурных слоев полупроводниковых сульфидов или

Климатическая стойкость пленок из полиэфирных порошковых красок процессах ускоренного старения пленок, предложена энергия активации термоокислительной деструкции Ед

Пористое анодирование алюминиевых пленок с использованием фотолитографической маски при высоких напряжениях формовкиПредложен метод локального электрохимического анодирования алюминиевых пленок при высоких

Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния слоев карбида кремния на кремниевых подложках при их быстрой вакуумно-термической обработке. Методами

Страница 33 из 5853