Особенности электрохимического осаждения никеля в мезопористый кремний
поверхности монокристаллических кремниевых пластин сформированы слои мезопористого
кремния. Электрохимическим
Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии преимущественно от кристаллографической ориентации пластин
кремния. Совокупность линий перегиба для пластин
Исследование сфераобразных наноструктур, сформированных в объеме пластин монокристаллического кремния наноструктур, формируемых в объеме пластин монокристаллического
кремния. Стандартные пластины Cz-Si, n типа
Получение тонких полупроводниковых пленок оксосульфида олова(II) методом SILDЦель исследования –
формирование нано- и микроструктурных слоев полупроводниковых сульфидов или
Климатическая стойкость пленок из полиэфирных порошковых красок процессах ускоренного старения
пленок, предложена энергия активации термоокислительной деструкции Ед
Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния слоев карбида
кремния на кремниевых подложках при их быстрой вакуумно-термической обработке. Методами