Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии

Сенько, С. Ф.

Цель настоящей работы заключалась в оценке фактического распределения остаточных напряжений по площади полупроводниковой пластины на основе вновь разработанных методов контроля. Установлено, что на начальных этапах формирования полупроводниковой структуры фактическая форма ее изгиба зависит преимущественно от кристаллографической ориентации пластин кремния. Совокупность линий перегиба для пластин ориентации (111) представляет собой шестилепестковую розетку, а для пластин ориентации (001) – четырехлепестковую. Дальнейшее формирование функциональных слоев требуемой топологии приводит к перераспределению остаточных напряжений, а влияние ориентации подложки при этом уменьшается.

Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация