По вашему запросу найдено документов: 5489
Страница 10 из 549
Элементный состав на границе раздела нанопленки диспрозия-нанокластеры Si, Ge и SiGe-нанокластеры SI, GE И SIGE.
Взаимодействие газовой фазы с расплавом в процессе выращивания монокристаллов германия монокристаллов германия. Рассмотрены процессы роста кристаллов в
среде инертного газа и кристаллизации Ge в
Исследование эпитаксиальных гетерослоев GeSi/Si методом рентгеновской дифрактометрииИсследование эпитаксиальных гетерослоев GeSi/Si методом рентгеновской дифрактометрии
Электронная структура объема InGeTeЭлектронная структура объема InGeTe
Влияние поверхности и границ раздела на продольный тепловой транспорт в слоистых тонкопленочных структурах Si/Ge тонкопленочных структурах Si/Ge, имеющих резкие границы раздела и (100), (110), (111) кристаллографические
Preparation of PbGeO3 by the oxidation of Pb-Ge melts and its propertiesPreparation of PbGeO3 by the oxidation of Pb-Ge melts and its properties
Development of a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on the Ge–Si structure with Ge quantum dots for portable thermophotovoltaic converters comprised of Schottky diodes and based on a Au/Ge — Si structure with Ge quantum dots pseudomorphic to a
Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице
High-temperature heat capacity and thermodynamic properties of TbBiGeO5 and DyBiGeO5High-temperature heat capacity and thermodynamic properties of TbBiGeO5 and DyBiGeO5
The effect of volume inclusions of the ZnGeP2 single-crystal on the dispersion of the refraction index and the absorption coefficient in mid-IR and terahertz ranges of wavelengthsVolume filamentary inclusions in ZnGeP2 have been visualized using the digital holography method
Страница 10 из 549
Фасеты
Партнеры
Индексация
