Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 11 из 5677

Автоматизация процедуры индивидуального прогнозирования надежности полупроводниковых приборовАвтоматизация процедуры индивидуального прогнозирования надежности полупроводниковых приборов

Статистическая обработка результатов измерения параметров полупроводниковых приборовСтатистическая обработка результатов измерения параметров полупроводниковых приборов

Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университетеНаучно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск)

Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборовКлючевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный

Некоторые подходы к обработке больших объёмов экспериментальных данных, получаемых при испытании выборок полупроводниковых приборов полупроводниковых приборов на длительную наработку, рассматривается эффективность возможных подходов к их анализу и

Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов изготовления сбалансированных по остаточным напряжениям многослойных структур полупроводниковых приборов и

Электрические модели полупроводниковых измерительных преобразователейЭлектрические модели полупроводниковых измерительных преобразователей

Коррекция электротепловой модели переходных процессов растекания тепла в мощных полупроводниковых приборахКоррекция электротепловой модели переходных процессов растекания тепла в мощных полупроводниковых

Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надежности методом имитационных воздействий изделия. Для полупроводниковых приборов в качестве имитационного воздействия удобно использовать

Аналитика и корреляционный анализ в определении информативных параметров мощных полупроводниковых приборовДля индивидуального прогнозирования надёжности мощных полупроводниковых приборов необходимо знать

Страница 11 из 5677