Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 10 из 5677

Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборахВ работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых

Влияние теплового режима на надежность и параметры полупроводниковых и интегральных схем приборовПредложены системы охлаждения полупроводниковых интегральных схем с высокой степенью

Стандартные методы измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов методов измерения теплового сопротивления в полупроводниковых приборах.

Испытание и исследование полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем : лаборатор. практикум по курсу «Полупроводниковые приборы и элементы интегр. микросхем» для студентов специальностей 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы», 1-41 01 03 «Квант. информ. системы» всех форм обучения полупроводниковых приборов. Состоит из четырех лабораторных работ. В каждой даны описания методик измерения

Проблема отвода тепла силовых полупроводниковых приборов и интегральных микросхемВ работе рассмотрена проблема отвода тепла полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов приборов методом имитационных воздействий.

Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборовКонструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов

Сравнение методов T3Ster и тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии для исследования структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов

Материал проводящего покрытия полупроводниковых приборов и интегральных схемМатериал проводящего покрытия полупроводниковых приборов и интегральных схем

Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборовПринципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов

Страница 10 из 5677