Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 9 из 5677

Сборка силовых полупроводниковых приборов с бессвинцовой припойной композицией
Ланин, В. Л., Керенцев, А. Ф., Турцевич, А. С.
Для сборки мощных полупроводниковых приборов методами вибрационной пайки и ультра-звуковой разварки
Использование кондуктивной схемы испытаний реакции полупроводниковых приборов на внешний ЭМИ
Алексеев, В. Ф., Журавлев, В. И., Бруцкий-Стемпковский, В. П.
испытаний реакции полупроводниковых приборов на воздействие мощных электромагнитных импульсов (ЭМИ
Технологии Big Data при анализе результатов ускоренных испытаний полупроводниковых приборов на надёжность
Казючиц, В. О., Боровиков, С. М., Borovikov, S. M.
полупроводниковых приборов (ППП) на надёжность. Предлагается подход к анализу большого объёма данных со значениями
Ультразвуковая микросварка проволочных выводов больших диаметров при монтаже мощных полупроводниковых приборов
Ланин, В. Л., Петухов, И. Б., Драгилев, Л. Г.
При разварке кристаллов в мощных полупроводниковых приборах используются проволочные и ленточные
Решение проблемы отвода тепла при корпусировании полупроводниковых приборов и микросхем
Герман, Е. В., Гармилин, Е. В., Herman, Y. V., Harmilin, Y. V.
В работе рассмотрена классификация корпусов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов
Герман, Е. В., Гармилин, Е. В., Herman, Y. V., Harmilin, Y. V.
В работе рассмотрены особенности измерения тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых
Определение эффективности моделей прогнозирования надежности полупроводниковых приборов методом статистического имитационного моделирования
Боровиков, С. М., Будник, А. В., Русак, И. В.
Экспериментально исследованы закономерности информативных параметров полупроводниковых приборов
Научно-исследовательскому институту полупроводниковых приборов 40 лет
Романова, Инна Денисовна
Научно-исследовательскому институту полупроводниковых приборов 40 лет
Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий
Казючиц, В. О., Калита, Е. В., Боровиков, С. М., Бересневич, А. И.
полупроводниковых приборов интересующего типа объемом примерно 50…100 экземпляров. Применение модели сводится к
Разработка методик для исследования эволюции структуры электротепловых параметров методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии, анализа механизмов деградации и выявления потенциально ненадежных элементов в изделиях силовой и оптоэлектроники, выполненных на основе гибридных гетерогенных структур в режимах близких к предельно допустимым
Сенченко, Г. М., Григорьев, С. В., Гавриленко, В. В.
технологических процессов монтажа кристаллов полупроводниковых приборов и повышения их надежности при

Страница 9 из 5677

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core