Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 12 из 5677

Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Сенько, С. Ф., Зеленин, В. А.
также оценить их величину в топологических элементах реальных полупроводниковых приборов.
Оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии
Васьков, О. С., Нисс, В. С., Турцевич, А. С., Керенцев, А. Ф., Кононенко, В. К.
. Это приводит к необходимости детального теплового анализа полупроводниковых приборов. Цель работы
Технологическое проектирование интегральных схем. Программа SSuprem 4: учеб. пособие для курсов лекций и лаб. работ по дисц. “Расчет и проектирование элементов интегральных схем и полупроводниковых приборов”, “Основы САПР в микроэлектронике”, “Моделирование технологических процессов микроэлектроники” для студ. спец. 41 01 02 “Микро- и наноэлектронные технологии и системы”, 41 01 03 “Квантовые информационные системы” всех форм обучения
Нелаев, В. В., Стемпицкий, В. Р.
технологических процессов формирования приборов микроэлектроники, а также технологического маршрута
Обработка результатов испытаний на надежность полупроводниковых приборов с помощью библиотек Python
Жданович, В. П., Голубева, И. А., Бруй, Н. М., Zhdanovich, V. P., Golubeva, I. A., Bruj, N. M.
При сборе большого количества данных об электрических параметрах приборов важно рационально
Тепловые модели отказов полупроводниковых структур при воздействии мощных электромагнитных импульсов
Алексеев, В. Ф., Журавлев, В. И., Alexeev, V. F., Zhuravliov, V. I.
Приведен анализ тепловых моделей, описывающих деградацию полупроводниковых струк- тур (ПС) на
Определение теплового сопротивления кристалл-корпус мощных полупроводниковых приборов по косвенным признакам с использованием уравнения регрессии
Казючиц, В. О.
Определение теплового сопротивления кристалл-корпус мощных полупроводниковых приборов по косвенным
Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления интегральных микросхем: учебно-метод. пособие для курсов лекций и лабораторных работ по дисциплинам "Расчет и проектирование элементов ин тегральных схем и полупроводниковых приборов", "Основы САПР в микро электронике", "Моделирование технологических процессов микроэлектроники" для студентов специальности 41 01 02 "Микроэлектроника"
Нелаев, В. В., Стемпицкий, В. Р.
элементов ин тегральных схем и полупроводниковых приборов", "Основы САПР в микро электронике
Создание и исследование полупроводниковых структур с магнитооптическим переключением электрических и оптических характеристик
возможностями на базе узкозонных полупроводниковых материалов и приборных структур металл-полупроводник-металл с
Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах
Колосницын, Б. С., Манкевич, И. А.
В работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем
Колосницын, Б. С., Черных, А. Г.
и СВ полупроводниковых приборов, а также расчет и проектирование полупроводниковых приборов и

Страница 12 из 5677

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core