Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействииБумай, Ю. А.,
Васьков, О. С.,
Нисс, В. С.,
Солодуха, В. А.,
Петлицкий, А. Н.,
Соловьев, Я. А.,
Керенцев, А. Ф. Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных
МОП транзисторах из разностных тепловых спектров
Эволюция спектров теплового сопротивления мощных моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии высокоинтенсивныхБумай, Ю. А.,
Васьков, О. С.,
Нисс, В. С.,
Солодуха, В. А.,
Петлицкий, А. Н.,
Соловьев, Я. А.,
Керенцев, А. Ф. Эволюция спектров теплового сопротивления мощных
моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии
Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистораЛовшенко, И. Ю.,
Стемпицкий, В. Р.,
Шандарович, В. Т.,
Lovshenko, I. Yu.,
Stempitsky, V. R.,
Shandarovich, V. T. электрические характеристики приборной структуры n-
МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока
Модель прогнозирования эксплуатационной интенсивности отказов интегральных схем ИС
МОП технологии; аналоговые ИС
МОП технологии; программируемые логические ИС
МОП технологии