По вашему запросу найдено документов: 869
Страница 21 из 87
Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором
Расчет вольт-амперных характеристик полевых транзисторов в интегральных схемах аналитическими методамиПриводятся аналитические решения и формулы для расчета вольт-амперных статических характеристик МОП
Моделирование методом Монте-Карло влияния рассеяния на фононах и ионах примеси на подвижность электронов в элементах флеш-памяти-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах
Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов
Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов n- и p-канальных МОП транзисторов, конкурентоспо-
собных на мировом рынке. Диапазон рабочих
Технология изготовления КМОП-транзисторов : учеб.-метод. пособие металлическим затвором, а также различные типы многозатворных МОП-транзисторов.
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем : учебное пособие : в 2 ч. Ч. 1 : Физика активных элементов интегральных микросхем внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике
Применение наноструктурированного пористого кремния для защиты информации на кремниевых чипах, который совместим со стандартной кремниевой K-МОП технологией изготовления ИС.
Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов приборов: представлены формулы, практические особенности, термограммы распределения температур на МОП
Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением диэлектрических слоев современных МОП интегральных схем.
Страница 21 из 87
Фасеты
Партнеры
Индексация
