Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 869

Страница 2 из 87

Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов
Быковский, С. И., Шинтар, А. В., Пискун, Г. А., Алексеев, В. Ф.
свойства защиты на базе МОП-транзистора: n-МОП транзистора с заземленным затвором (Grounded Gate NMOS
Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Филипеня, В. А., Шведов, С. В., Черный, В. В., Явид, В. Ю., Янковский, Ю. Н.
Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но
Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы
Богатырев, Ю. В., Ластовский, С. Б., Сорока, С. А., Шведов, С. В., Огородников, Д. А., Bogatyrev, Yu. V, Lastovsky, S. B., Soroka, S. A., Shwedov, S. V., Ogorodnikov, D. A.
МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими
Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора
Боровик, А. М., Ханько, В. Т., Стемпицкий, В. Р., Borovik, A. M., Khanko, V. T., Stempitsky, V. R.
SIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей
Об экспериментальном подтверждении времени хранения информации интегральных микросхем EEPROM после отключения питания
Плебанович, В. И., Боровиков, С. М., Будник, А. В., Borovikov, S. M.
МОП-транзистор
Numerical simulation of electric characteristics of deep submicron silicon-on-insulator MOS transistor
Borzdov, A. V., Borzdov, V. M., Dorozhkin, N. N.
На сегодняшний день субмикронные МОП-транзисторные структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) широко
Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования
Сперанский, Д. С., Борздов, В. М., Speransky, D. S., Borzdov, V. M.
вольт-амперной характеристики (ВАХ) интегрального n-канального МОП-транзистора и проведено их
Полевые транзисторы
Баевич, Г.А.
биполярный транзистор
Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия
Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р., Турцевич, А. С., Шелибак, И.
транзистора, так и МОП- транзистора – составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на
Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs
Кратович, П. С.
Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs

Страница 2 из 87

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core