Терморезистивные свойства анодных ниобиевых столбиково-матричных наноструктур их
вольт-амперные и терморезистивные
характеристики. Показана возможность использования
Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворамиАбрамов, И. И.,
Коломейцева, Н. В.,
Лабунов, В. А.,
Романова, И. А.,
Abramov, I. I.,
Kolomejtseva, N. V.,
Labunov, V. A.,
Romanova, I. A. двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на
вольт Измерения вольт-амперных характеристик тонкоплёночных сегнетоэлектриков составов BST, SBTN, SBTМаевский, А. А.,
Данильченко, К. Д.,
Семченко, А. В.,
Сидский, В. В.,
Чучева, Г. В.,
Киселёв, Д. А.,
Бойко, А. А.,
Судник, Л. В.,
Гапоненко, Н. В. Измерения
вольт-амперных характеристик тонкоплёночных сегнетоэлектриков составов BST, SBTN, SBT
Фоточувствительный приемник на основе контакта Шоттки между полупроводником и графеномПрищепа, С. Л.,
Комиссаров, И. В.,
Данилюк, А. Л.,
Ковальчук, Н. Г.,
Головач, А. А.,
Михалик, М. М.,
Кукуть, Ю. М.,
Дронина, Е. А. В работе проводилось измерение
вольт-амперных характеристик (ВАХ) в темновом режиме
и при
Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированиемВ работе рассмотрено моделирование
вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов