Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Зарубин, Андрей Николаевич; Новиков, Владимир Александрович; Толбанов, Олег Петрович; Тяжев, Антон Владимирович; Щербаков, Иван Дмитриевич; Лозинская, Анастасия Дмитриевна

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Зарубин, Андрей Николаевич, Новиков, Владимир Александрович, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Щербаков, Иван Дмитриевич, Лозинская, Анастасия Дмитриевна

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:21:05Z

Аннотация:

Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имели следующую структуру: Ni/Cr-GaAs:Cr-Cr/Ni. Измерения проводились при изменении температуры от 23 до 70 °C. Полученные ВАХ хорошо описываются термоэмиссионной моделью токопереноса. На основе экспериментальных зависимостей сделан вывод о величине барьера Шоттки исследуемых образцов.

Ключевые слова:
детекторы, сенсоры, арсенид галия, Шоттки барьер, вольт-амперные характеристики, температурные зависимости

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-131