Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 42134

Страница 7 из 4214

Формирование и исследование характеристик тонких пленок оксидов меди и цинка и гетероструктур на их основе
Тарасенко, Н. В., Пашаян, С. Т., Буцень, Андрей Викторович, Шустова, Е. А., Тарасенко, Н. Н., Анищик, В. М., Малютина-Бронская, В. В.
результаты исследования вольт-амперных характеристик структуры ITO/ZnO/Cu[2]O(CuO)/Ag, снятые в темноте и в
Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge–Sb–Te для устройств фазовой памяти
Лазаренко, Петр Иванович, Козюхин, Сергей Александрович, Шерченков, Алексей Анатольевич, Бабич, Алексей Вальтерович, Тимошенков, Сергей Петрович 1957-, Громов, Дмитрий Геннадьевич, Заболотская, Анастасия Владимировна, Козик, Владимир Васильевич
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик
Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Горбачук, Н. И., Ластовский, С. Б., Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Ковальчук, Н. С., Филипеня, В. А., Черный, В. В., Шестовский, Д. В., Янковский, Ю. Н.
Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC
Санкин, Александр Викторович, Антонов, Владимир Феохарович, Филипова, Светлана Валерьевна, Митюгова, Ольга Александровна, Алтухов, Виктор Иванович
вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных
Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Скакунов, Максим Сергеевич, Лелеков, Михаил Александрович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Прудаев, Илья Анатольевич
вольт-амперные характеристики
Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
Prudaev, Ilya A., Baktybaev, A. A., Romanov, I. S., Zubrilkina, Yu. L.
вольт-амперные характеристики
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Иван Сергеевич, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Олейник, Владимир Леонидович
вольт-амперные характеристики
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Олейник, Владимир Леонидович, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Прудаев, Илья Анатольевич
вольт-амперные характеристики
Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC
Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Демидов, А. А., Дракин, А. Ю., Зотин, В. Ф.
Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном
Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
Зарубин, Андрей Николаевич, Колесникова, Ирина Игоревна, Лозинская, Анастасия Дмитриевна, Новиков, Владимир Александрович, Скакунов, Максим Сергеевич, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Шемерянкина, Анастасия Владимировна
, эффективности сбора заряда, произведения подвижности на время жизни (μ×τ)n и вольт-амперных характеристик от

Страница 7 из 4214

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core