Терморезистивные свойства анодных ниобиевых столбиково-матричных наноструктур их
вольт-амперные и терморезистивные
характеристики. Показана возможность использования
Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворамиАбрамов, И. И.,
Коломейцева, Н. В.,
Лабунов, В. А.,
Романова, И. А.,
Abramov, I. I.,
Kolomejtseva, N. V.,
Labunov, V. A.,
Romanova, I. A. двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на
вольт Фоточувствительный приемник на основе контакта Шоттки между полупроводником и графеномПрищепа, С. Л.,
Комиссаров, И. В.,
Данилюк, А. Л.,
Ковальчук, Н. Г.,
Головач, А. А.,
Михалик, М. М.,
Кукуть, Ю. М.,
Дронина, Е. А. В работе проводилось измерение
вольт-амперных характеристик (ВАХ) в темновом режиме
и при
Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированиемВ работе рассмотрено моделирование
вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов
Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавкамиНастоящая работа посвящена разработке математической модели прямой ветви
вольт-
амперной