Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 42134

Страница 12 из 4214

Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Горбачук, Н. И., Ластовский, С. Б., Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Ковальчук, Н. С., Филипеня, В. А., Черный, В. В., Шестовский, Д. В., Янковский, Ю. Н.
Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC
Санкин, Александр Викторович, Антонов, Владимир Феохарович, Филипова, Светлана Валерьевна, Митюгова, Ольга Александровна, Алтухов, Виктор Иванович
вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных
Полупроводниковые приборы
Сущикова Анастасия Николаевна, Анчугова Алевтина Флегентьевна
характеристики, параметры, а также их основные методы расчета.
Конденсаторные структуры на основе пленок титаната бария, сформированных золь-гель методом
Холов, П. А., Гапоненко, Н. В., Шейдакова, К. В., Крымский, В. И., Филипеня, В. А., Петлицкая, Т. В., Колос, В. В., Петлицкий, А. Н., Петлицкий, А. Н., Kholov, P. A., Gaponenko, N. V., Shaidakova, K. V., Krymski, V. I., Filipenya, V. A., Petlitskaya, T. V., Kolos, V. V., Pyatlitski, A. N.
Kα-излучения. Вольт-фарадные характеристики получены с помощью анализатора полупроводниковых приборов B1500A. Значения
Исследование электрофизических свойств тонких пленок и гетероструктур на основе оксида цинка с легирующими добавками соединений редкоземельных элементов и элементов третьей группы
Колешко, В. М., Шевченок, А. А., Гулай, В. А., Полынкова, Е. В.
,51±1,44) ·103 Ом·см. Изучены вольт-амперные(ВА) и вольт-фарадные характеристики(ВФХ) тонких пленок оксида цинка
Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Скакунов, Максим Сергеевич, Лелеков, Михаил Александрович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Прудаев, Илья Анатольевич
вольт-амперные характеристики
Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
Prudaev, Ilya A., Baktybaev, A. A., Romanov, I. S., Zubrilkina, Yu. L.
вольт-амперные характеристики
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Иван Сергеевич, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Олейник, Владимир Леонидович
вольт-амперные характеристики
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Олейник, Владимир Леонидович, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Прудаев, Илья Анатольевич
вольт-амперные характеристики
Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC
Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Демидов, А. А., Дракин, А. Ю., Зотин, В. Ф.
Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном

Страница 12 из 4214

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core