Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs

Прудаев, Илья Анатольевич; Ремизова, Ирина Леонидовна; Толбанов, Олег Петрович; Калыгина, Вера Михайловна

Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs

Прудаев, Илья Анатольевич, Ремизова, Ирина Леонидовна, Толбанов, Олег Петрович, Калыгина, Вера Михайловна

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:22:58Z

Аннотация:

Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменном и постоянном сигналах и их фотоэлектрическими характеристиками.

Ключевые слова:
пленки Ga2O3, термический отжиг, фототоки

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240