Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрамиПолупроводниковые приборы на основе арсенида
галлия с глубокими примесными центрами
Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs поверхностной концентрации диффундирующей
примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия
Теплопроводность наношнуров из арсенида галлия (GaAs)Теплопроводность наношнуров из арсенида
галлия (GaAs)