Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers

Khludkov, Stanislav S., Tolbanov, Oleg P., Vilisova, Marija Dmitrievna, Prudaev, Ilya A., Tyazhev, Anton V.

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:51Z

Аннотация:

Ключевые слова:
арсенид галлия легированный, примеси переходных металлов, легирование полупроводников примесное, легирование полупроводников диффузионное, легирование эпитаксиальных слоев, арсенида галлия π-v-n-структуры, S-диоды лавинные переключающие, детекторы ионизирующих излучений, фотоприемники многоэлементные УФ диапазона, фоторезисторные приемники ИК-излучения, генераторы терагерцевого диапазона, арсенида галлия высокоомные слои, пассивация интегральных схем, арсенид галлия легированный марганцем, арсенид галлия легированный железом, арсенид галлия ферромагнитный, гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного, полупроводники ферромагнитные, спинтроника, материалы, генераторы дельта-импульсов, электронные структуры арсенида галлия

Тип: монографии

Связанные документы (рекомендация CORE)