Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора

Мищенко, В. Н.; Муравьев, В. В.; Павлючик, А. А.

Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора

Мищенко, В. Н., Муравьев, В. В., Павлючик, А. А.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:22:14Z

Аннотация:

Полезная модель относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к транзисторам - полупроводниковым приборам с использованием графена и гексогонального нитрида бора, реализующим эффект управления электрическим током, который протекает через прибор посредством внешнего напряжения, и может быть использована в качестве усилительного и коммутирующего устройства в области диапазонов СВЧ и КВЧ.

Ключевые слова:
патенты, полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, транзисторы

Тип: Other