Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 51719

Страница 12 из 5172

Nanoscale mobility mapping in semiconducting polymer films
Alekseev A., Yedrissov A., Hedley G.J., Ibraikulov O., Heiser T., Samuel I.D.W., Kharintsev S.
by nanoscale structure, vary more than two times in value and have a root-mean-square value 0.22 × 10−8 m2/(Vs
Fingerprint Raman spectroscopy for two-dimensional MoS2xSe2(1−x) alloys
Pimenov N., Kartsev A., Lebedeva E., Mishina E.
structure Se atoms are substituted by S atoms, the in-plane E12g (S-Mo), E12g (Se-Mo) and out-plane A1ʹ (S
Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier
Moskalenko, Victoriya D., Badin, Alexander V., Pidotova, Diana A.
of semiconductor structure with a Schottky barrier based on n- GaAs are presented. Current-voltage characteristic
Воздействие разрядов статического электричества на полупроводниковые структуры и интегральные схемы
Алексеев, В. Ф., Пискун, Г. А., Лисовский, А. А.
электростатических разрядов. The features of diagnostic methods for assessing the stability of the semiconductor
Specific features of the transport properties of the Lu₀.₁Bi₁.₉Te₃ compound
Yapryntsev, M. N., Lyubushkin, R. A., Soklakova, O. N., Ivanov, O. N.
semiconductor physics
Halide-hydrogen vapor transport for growth of ZnO single crystals with controllable electrical parameters
Colibaba G.
Semiconductor II-VI materials
Анализ технологии плазменной обработки полупроводниковых структур
Жаворонок, И. А., Тихон, О. И.
Analysis of the plasma processing technology of semiconductor structures
Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия
Баранова, М. С.
magnetic semiconductors
Тепловые модели отказов полупроводниковых структур при воздействии мощных электромагнитных импульсов
Алексеев, В. Ф., Журавлев, В. И., Alexeev, V. F., Zhuravliov, V. I.
Thermal models of breakdowns in semiconductor structures under actions of high electromagnetic
Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора
Муравьев, В. В., Мищенко, В. Н., Muravyov, V. V., Mishchenka, V. N.
on the strength of the electric field in a semiconductor structure containing a layer of graphene and boron

Страница 12 из 5172

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core