Высоковакуумное реактивное магнетронное нанесение пленок оксида алюминия. The processes of deposition of aluminum oxide films under low-pressure pulsed
reactive magnetron sputtering Особенности реактивного магнетронного нанесения пленок оксида тантала при различных способах подачи газа в камеруДоан, Х.Т.,
Голосов, Д.А.,
Бурдовицин, В.А.,
Завадский, С.М.,
Мельников, С.Н.,
Doan, H.T.,
Golosov, D.A.,
Burdovitsin, V.A.,
Zavadski, S.M.,
Melnikov, S.N. системы. = The processes of
reactive magnetron sputtering of a Ta target in an Ar / O2 gas mixture have
ELECTRICAL PROPERTIES OF TITANIUM NITRIDE FILMS SYNTHESIZED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING of titanium nitride thin films deposited by the
reactive dc
magnetron sputtering will be discussed
Balanced magnetic field in magnetron sputtering systemsDischarge characteristics of the planar axial
magnetron sputtering systems (MSS) with different
Электрофизические свойства пленок оксида ванадия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыленияНгуен, Т. Д.,
Занько, А. И.,
Голосов, Д. А.,
Завадский, С. М.,
Мельников, С. Н.,
Колос, В. В.,
Nguen, T. D.,
Zanko, A. I.,
Golosov, D. A.,
Zavadski, S. M.,
Melnikov, S. N.,
Kolos, V. V. of vanadium oxide films deposited by pulsed
reactive magnetron sputtering of a vanadium target in an Ar/O2
Electrical properties of titanium nitride films synthesized by reactive magnetron sputtering© Published under licence by IOP Publishing Ltd.
Reactive dc
magnetron sputtering was employed