Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук), Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Кульчицкий, Николай Александрович

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:13:11Z

Ключевые слова:
квантовые точки, молекулярно-лучевая эпитаксия, германий, кремний, механизм роста Странского - Крастанова

Тип: статьи в журналах

Источник: Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31

Связанные документы (рекомендация CORE)