Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN

Брудный, Валентин Натанович

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:39:53Z

Ключевые слова:
нитрид галлия, нитрид индия, сапфиры, эпитаксия, дефекты решетки, зарядовая нейтральность, светодиодные гетероструктуры

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53

Связанные документы (рекомендация CORE)