Исследовано влияние γ-радиации на термоэлектрические свойства образцов твердых растворов Bi0.85Sb0.15 (0.001 ≤ x ≤ 0.05) при ∼ 77–300 К. Выяснено, что при низких дозах γ-облучения твердого раствора Bi0.85Sb0.15 в нем образуются дефекты в виде одиночных межузельных атомов и одиночных вакансий, которые приводят к росту концентрации свободных электронов n, электропроводности σ, теплопроводности χ и уменьшению коэффициента термоЭДС α и Холла RХ. С ростом дозы облучения, в процессе последующей перестройки во время облучения, возможно образование сложных дефектов, что приводит к их объединению, уменьшению концентрации носителей тока и соответствующему изменению σ, α, χ и RХ.