Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Лысенко, Александр Павлович; Белов, Александр Георгиевич; Каневский, Владимир Евгеньевич; Одинцова, Елена Алексеевна

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Лысенко, Александр Павлович, Белов, Александр Георгиевич, Каневский, Владимир Евгеньевич, Одинцова, Елена Алексеевна

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2024-10-01T21:25:15Z

Аннотация:

Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. При этих исследованиях обнаружился целый ряд не известных ранее эффектов, интересных с точки зрения физики, обсуждению которых и посвящена данная работа.

Ключевые слова:
высокоомные полупроводники, фотопроводимость, омические контакты, локальное освещение

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 142-149