Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

Мамедов, Гусейн Микаил; Кукевеч, Акош; Коня, Золтан; Кордаш, Кризстиан; Шах, Сйед Исмат; Мамедов, Вусал Усуб; Ахмедова, Хумар Муса; Мамедова, Вусала Джалали; Рзаев, Ровнаг Мирза; Шамилова, Шахла Асеф; Ханмамедова, Элмира Алекпер; Агазаде, Лале Элчин

Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

Мамедов, Гусейн Микаил, Кукевеч, Акош, Коня, Золтан, Кордаш, Кризстиан, Шах, Сйед Исмат, Мамедов, Вусал Усуб, Ахмедова, Хумар Муса, Мамедова, Вусала Джалали, Рзаев, Ровнаг Мирза, Шамилова, Шахла Асеф, Ханмамедова, Элмира Алекпер, Агазаде, Лале Элчин

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:40:20Z

Аннотация:

В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористые – Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10–16 нм), который обеспечивает максимальную эффективность фотоэлектрического преобразования (7.71 %) гетеропереходов.

Ключевые слова:
электрохимическое осаждение, анодирование, пористый кремний, гетеропереходы

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 9. С. 96-101