Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7–6.5 эВ. Из рассчитанного электронного спектра и плотности энергетических состояний оценена ширина запрещенной зоны. На основе анализа проецированных на атомы парциальных плотностей электронных состояний определен характер химической связи в GaInS3.