Влияние прозрачных пленок на основе Ta, Si, Al, N на локальные повреждения поверхности кварцевых пластин при воздействии высокоскоростного потока микрочастиц

Турсунханова, Рыскуль Болаткызы; Сергеев, Виктор Петрович; Калашников, Марк Петрович; Сергеев, Олег Викторович; Воронов, Андрей Викторович; Христенко, Юрий Федорович; Жалнин, Евгений Викторович

Влияние прозрачных пленок на основе Ta, Si, Al, N на локальные повреждения поверхности кварцевых пластин при воздействии высокоскоростного потока микрочастиц

Турсунханова, Рыскуль Болаткызы, Сергеев, Виктор Петрович, Калашников, Марк Петрович, Сергеев, Олег Викторович, Воронов, Андрей Викторович, Христенко, Юрий Федорович, Жалнин, Евгений Викторович

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:11Z

Аннотация:

Исследованы структура и свойства полученных методом импульсного магнетронного распыления тонких двухслойных пленок на кварцевых подложках: I – на основе Ta/AlSiN и II – на основе AlSiN/TaN. Величина светопропускания в видимом и ультрафиолетовом диапазонах, определенная по спектральным кривым, имеет среднее значение, близкое 59 и 24% соответственно. Оба слоя AlSiN в покрытии I и верхний слой TaN в покрытии II формируются в наноструктурном состоянии, нижний слой AlSiN в покрытии II разделяется на два: прилежащий к подложке – аморфный, располагающийся выше него – в аморфно-кристаллическом состоянии. Покрытие II имеет более высокую адгезию к кварцевой подложке по сравнению с покрытием I. Установлено, что покрытие I на основе Ta/AlSiN имеет более высокие на 15–20% механические свойства, такие как микротвердость и коэффициент упругого восстановления, что придает стеклу более высокий защитный эффект от локальных микроповреждений поверхности (кратеров) при ударах высокоскоростных микрочастиц железного порошка.

Ключевые слова:
магнетронное распыление, стекло, двухслойное защитное покрытие, высокоскоростные частицы, удары, кратеры

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 9. С. 66-74