В статье представлена методика анализа воздействия широкополосных импульсных помех на микроэлектронную и микропроцессорную аппаратуру ключевых систем информационной инфраструктуры Ее теоретической базой является методика системного подхода и операторного описания электромагнитных процессов. Выбран вариант системного подхода, наиболее пригодный для расчета сложных технических систем. Показано, что для выполнения расчетов необходима детализация общих соотношений, которая соответствует апробированному топологическому подходу к анализу электромагнитного экранирования. Приведены расчетные соотношения для характеристик помехового поля, излучаемого неоднородностями корпуса. Эти соотношения основаны на интеграле Кирхгофа. Обоснована возможность сокращения объемов вычислительной работы при анализе воздействия сверхширокополосных импульсных помех путем косвенной оценки этого воздействия на основе сравнения импульсов напряжения в неоднородности методами теории спектров. Проанализированы условия эквивалентности импульсов и описан интегральный способ их вывода. Результаты работы имеют высокое практическое значение для повышения адекватности анализа и прогнозирования воздействия сверхширокополосных импульсных помех на ключевые системы информационной инфраструктуры.