Высокотемпературное окисление керамических материалов. Сообщение 1. Окисление карбидной и нитридной керамики

Голубцова, Е. С.; Шавель, А. Н.

В работе представлен статистический анализ кинетики окисления керамических материалов на основе SiC и Si3N4 на воздухе в интервале температур 960−1060 °С. Образцы получали путем высокотемпературного спекания из порошков тугоплавких материалов. Для оценки изменения массы образца (Δm) использовали метод непрерывного взвешивания на установке ИМБ−1, который позволяет производить автоматическую запись изменения массы образца с точностью до ± 0,025 мг. Процесс окисления Si3N4 и SiC с открытой пористостью (П) 33−34 % подчиняется параболическому временному закону. При температуре 960 °С более стойким к окислению на воздухе является Si3N4. При дальнейшем повышении температуры скорость окисления Si3N4 превышает скорость окисления SiC, что обусловлено свойствами образующихся промежуточных фаз оксикарбида и оксинитрида кремния.

Высокотемпературное окисление керамических материалов. Сообщение 1. Окисление карбидной и нитридной керамики

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация