Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси

Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.

Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси

Шапошников, В. Л., Кривошеева, А. В., Борисенко, В. Е.

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-05-27T12:48:22Z

Аннотация:

Двумерные (2D) структуры атомарной толщины привлекают повышенное внимание благодаря своим уникальным физическим и химическим свойствам и рассматриваются в качестве основы полупроводниковых материалов для наноустройств нового поколения [1]. В последние годы существенно возросло количество теоретических и экспериментальных исследований таких материалов как графена, h-BN, фосфорена, дихалькогенидов переходных металлов. По сравнению с прочной ковалентной связью между слоями в традиционных полупроводниках, в 2D-материалах отдельные слои атомарной или молекулярной толщины связаны между собой слабыми силами Ван-дер-Ваальса, которые способствуют существованию стабильной многослойности в них.

Ключевые слова:
публикации ученых, наноустройства, полупроводниковые материалы, 2D-материалы, двумерные материалы, гетероструктуры

Тип: Article