Влияние геометрического фактора пикселя на пространственное разрешение линейных фотоприемников СВИК-диапазона на основе материала кадмий – ртуть – теллур
Экспериментально исследовано влияние величины отношения размера диода к размеру пикселя на пространственное разрешение линейных фотовольтаических фотоприемников (ФП) средневолнового инфракрасного (СВИК) диапазона на основе материала кадмий – ртуть – теллур (КРТ). Измерения, проведенные на линейных ФП формата 288×4 элементов, изготовленных с применением молекулярно-лучевой эпитаксии, показали, что разрешение изученных ФП на основе материала КРТ с длиной диффузии фотоносителей ~ 40 мкм возрастает с увеличением размера диодов при постоянном шаге пикселей.