Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов

Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Алексеев, А. Ю.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Alexeev, A. Yu.

Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов

Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Алексеев, А. Ю., Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Alexeev, A. Yu.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T06:55:07Z

Аннотация:

Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов.Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two- dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles methods. Two variants of the mutual arrangement of the layers of two-dimensional crystals are suggested. Properties of such heterostructures in the presence of impurities and defects are investigated.