Представлены результаты исследований вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик
структур Al-Ni/ZnO:Er(Eu)/Si. Пленки ZnO, легированные редкоземельными элементами Eu
и Er, получены методом реактивного магнетронного распыления цинковой мишени на
кремний. Данные пленки имеют структуру плотной упаковки нано- и микрокристаллитов с
размерами порядка 100–300 нм. Установлено, что доминирующим механизмом переноса
носителей заряда в структуре является ток, ограниченный пространственным зарядом.
Концентрация локальных центров, полученная из анализа вольт-фарадных характеристик,
составляет 1018 см-3 для структур ZnO:Eu/p-Si и 1018–1019 см -3 для структур ZnO:Er /n-Si.