Анализ зависимости характеристик излучения, возникающего при прохождении через кристалл быстрых электронов, в зависимости от качества внутренней структуры образца. Обсуждение способов измерения мозаичности кристаллов, размеров микроблоков и посторонних включений по характеристикам регистрируемого излучения