High-temperature buried InP/GaInAsP heterostructure laser diode emitting at 1310 nm - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
980 144

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

High-temperature buried InP/GaInAsP heterostructure laser diode emitting at 1310 nm

Vasil'Ev M.G., Vasil'Ev A.M., Izotov A.D., Shelyakin A.A.

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T14:18:46Z

Тип: Article

Права: open access

Источник: Inorganic Materials

Связанные документы (рекомендация CORE)