Роль электронной структуры AIIIBV полупроводниковой подложки в формировании низкой плотности интерфейсных состояний на границе раздела с фторсодержащим оксидом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 030302 - Физика - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)