Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs

Ремизова, Ирина Леонидовна; Калыгина, Вера Михайловна; Толбанов, Олег Петрович

Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs

Ремизова, Ирина Леонидовна, Калыгина, Вера Михайловна, Толбанов, Олег Петрович

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:22:43Z

Аннотация:

Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур обусловлена термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами.

Ключевые слова:
пленки Ga2O3, термический отжиг, гетеропереходы, проводимость

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245