Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A., Dvurechenskii, A. V., Kirienko, V. V.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:55:35Z

Аннотация:

Ключевые слова:
квантовые точки, кремний, германий, локализация электронов

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 101, № 11. P. 750-753

Связанные документы (рекомендация CORE)