Оксид олова (IV) является перспективным материалом для применения в газовых сенсорах. Производительность модификаций полупроводниковых сенсорных устройств может быть значительно улучшена путем модификации наноразмерного SnO[2]. В данной работе наноструктуры SnO[2] были синтезированы из оксида олова (II) методом химического осаждения из паровой фазы в инертном азоте.