Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
980 144

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs

Вишникина, Вера Валерьевна, Зарубин, Андрей Николаевич, Петрова, Юлианна Сергеевна, Скакунов, Максим Сергеевич, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Яскевич, Тамара Михайловна, Калыгина, Вера Михайловна

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:42:11Z

Ключевые слова:
полупроводники, арсенид галлия, анодное окисление, оксидные пленки, термический отжиг, кислородная плазма, дефекты точечные, атомные вакансии

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16

Связанные документы (рекомендация CORE)