Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кравцова, Наталья Сергеевна

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кравцова, Наталья Сергеевна

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:58:16Z

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, эпитаксиальные пленки, биполярные транзисторы, моделирование

Тип: статьи в сборниках

Источник: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 213-214

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация