Получение с помощью характеристик магнетронного разряда слоев нитрида кремния стехиометрического состава и с пересыщением по кремнию

Журавский, Д. В.; Ласкин, Г. П.; Мисиюк, К. В.; Удовиченко, С. Ю.; Dmitry, V. Zhuravsky; Laskin, G. P.; Misyuk, K. V.; Udovichenko, S. Yu.

Для разработки эффективного источника света на кремнии магнетронным методом осаждения получены слои нитрида кремния толщиной 30-100 нм, контролируемого состава и c пониженным электросопротивлением. Найдены условия горения магнетронного разряда, при которых были получены образцы слоев нитрида кремния стехиометрического состава SiN1.33; образцы SiN с пересыщением по кремнию около 7-10% и образцы SiN1.2 с пересыщением по кремнию 2-3%. Выбор в пользу магнетронного осаждения слоев нитрида кремния по сравнению с альтернативным методом химического осаждения из газовой фазы сделан потому, что первый способ дает более однородное распределение элементов по толщине слоя. Контроль элементного состава получаемых слоев нитрида кремния проводился методом измерения характеристик магнетронного разряда. Показано, что по величине напряжения разряда при постоянном давлении азота можно контролировать требуемую степень пересыщения кремния в слое. Используемый метод контроля точнее, чем метод спектрального анализа оптического излучения разрядной плазмы магнетрона. Во втором методе контроля недостаточная точность измерения обусловлена низкой интенсивностью линий азота и кремния в рабочем интервале давления азота.

Получение с помощью характеристик магнетронного разряда слоев нитрида кремния стехиометрического состава и с пересыщением по кремнию

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация