Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-04-01T00:30:13Z

Аннотация:

Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определены локализация и природа донорных дефектов, сформировавшихся при имплантации. Показано, что такими дефектами являются дислокационные петли и квазиточечные дефекты, захватившие атомы междоузельной ртути, высвобожденные при имплантации.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98-103


Связанные документы (рекомендация CORE)