Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода

Сергеев, Даулет Максатович; Мясникова, Людмила Николаевна; Шункеев, Куанышбек Шункеевич

В рамках теории функционала электронной плотности и метода неравновесных гриновских функций (LSDA+NEGF) определены спектры пропускания, вольт-амперные характеристики (ВАХ), дифференциальная проводимость оборванной октаграфеновой наноленты, полученной путем удаления атомов углерода из цен- тральной части и насыщенной атомами водорода. Показано, что ВАХ рассматриваемых наноструктур имеют участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Установлено, что в оборванной октаграфеновой наноленте (гексагональные элементы которой соединены трехатомным углеродным мостиком) в интервале энергии –1.65 ÷ –0.5 эВ прохождение квазичастиц со спином вниз блокируется. Такое поведение спектра пропускания позволяет применить их для создания спиновых фильтров по энергии. Обнаружено, что спин-поляризованный ток оборванной октаграфеновой наноленты (части которой соединены между собой пятиугольными элементами и углеродным мостиком) с состоянием спинов вверх-вверх существенно превышает ток структуры с состоянием спинов вверх-вниз. Такой эффект позволяет осуществить селекцию квазичастиц со спином вверх по току в определенном значении приложенного напряжения. Полученные результаты могут быть полезными при расчетах новых приборов спинтроники.

Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация