Получение и механизмы электропроводности тонких пленок дираковского полуметалла Cd₃As₂

Захвалинский, В. С.; Пилюк, Е. А.; Никуличева, Т. Б.; Иванчихин, С. В.; Япрынцев, М. Н.; Ерина, Т. А.

Получение и механизмы электропроводности тонких пленок дираковского полуметалла Cd₃As₂

Захвалинский, В. С., Пилюк, Е. А., Никуличева, Т. Б., Иванчихин, С. В., Япрынцев, М. Н., Ерина, Т. А.

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-05-12T08:41:57Z

Аннотация:

В работе описывается метод выращивания высококачественных тонких пленок Cd₃As₂. Измерена зависимость электропроводности от температуры в интервале от 3 К до 300 К. В области гелиевых температур определен диапазон реализации механизма прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка по Шкловскому-Эфросу

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, тонкие пленки, магнитные полупроводники, дираковские полуметаллы, электропроводность, прыжковая проводимость

Тип: Article