Получение слоев GaN и AlGaN С пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака

Мамаев, В.В.; Новиков, С.А.; Петров, С. И.; Зайцев, С.В.; Прохоренков, Д.С.

Получение слоев GaN и AlGaN С пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака

Мамаев, В.В., Новиков, С.А., Петров, С. И., Зайцев, С.В., Прохоренков, Д.С.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-06-02T11:52:27Z

Аннотация:

Получение слоев GaN и AlGaN С пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака / В. В. Мамаев, С. В. Новиков, С. И. Петров, С. В. Зайцев, Д. С. Прохоренков // Вестник БГТУ им. В. Г. Шухова. - 2016. - № 2. - С. 176-180.

Представлены результаты выращивания нитридных наногетероструктур методом МЛЭ с ис- пользованием аммиака на отечественной установке STE3N. Показано, что использование высоко- температурных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных на сильно рассогласованных подложках при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150ºС) и оптимизация усло- вий роста позволяют кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев и понизить плотность дислокаций в них до значений (4–5).109 см–2 в слое AlxGa1-xN (x=0.5) и (8–10).108 см–2 в слое GaN.

Ключевые слова:
Авторы БГТУ, нитридные гетероструктуры AlN, AlGaN, оптоэлектронные приборы УФ- диапазона, СВЧ транзисторы, плотность дислокаций

Тип: Article